Hola Toni, grácias per el tèu interés. Tractaré de descriure el funcionment básic del sistema. Es molt senzill el sistema de "barrido" : Es fa servir al oscilloscop l´entrada X , o sigui que no s´utilitza el generadó intern de barrido horitzontal. El conjunt de 2 semi-ones generades per els diodes rectificadors (ona complerta), foto 1311, es porta a l´entrada horitzontal exterior ( X ), i s´ajusta el nivell d´excursió mitjançant el pote de 5 Kohm (Conectó CRT HORZ) Utilitza la part de la rampa ascendent (pujada), d´una semi-ona de 50 hz de la red, per desplaçar el feix horitzontal del oscilloscop d´esquerra a dreta. A continuació la part de la rampa descendent (baixada) de la mateixa semi-ona, fa tornar el feix del oscilloscop "CRT" al inici (costat dret). Aixó fa que el feix del CRT faigi un desplaçament d´anada i tornada, a cada semi periode positiu. Comb que hemb afeixit els 2 semi periodes positius, de la corrent alterna, el feix del CRT fa 2 viatges d´anada i tornada cada 20 mS. Per veure la linealitat del conjunt, podem aplicar provisionalment, a l´entrada vertical del CRT, la tensió que surt del pote de regulacio de la IB, foto 1310, ha de ser la resposta completament recta. Aquesta ona composta per 2 semi-periodes positius, s´aplica al mateix temps, a les bases dels transistors a testejar, mitjançant l´altre pote de 5 Komh, (IB) per regular-ne l´intensitat d´excitació. Aixís mateix, l´intensitat de les bases dels transistors baix prova, aumentan i disminueixen al ritme de l´ona aplicada, o sigui cada 10 mS. Consequentment l´intensitat dels col-lectors varían ritmicament,i es tradueixen amb unes variacions dels voltatges entre col. i emisó. ( La caiguda de tensió dependrá del valor de la resistencia de cárrega, llei d´Ohm ). La resisténcia de Col ve donada per la disipació del transistó, i/o la corrent IC. Per tant, mentres la base del transistó baix prova, no comença a condiur ( 0,6V--0,7V ), el voltatge de colectó es el máxim. En quan aumenta la corrent de base, aumenta la corrent de col. i fa baixar linealment la tensió de col. (Es comb si al aumentá la corrent de base, es reduís la resisténcia interna entre colectó i emisó) Comb que el feix horitzontal del CRT es desplaça al mateix ritme que la intensitat de base, el voltatge resultant del colectó, fa variá el desplaçament vertical (Y) del CRT, i aixo crea una resposta descendent segons la linealitat del transistó. Cada semi-periode d´excitació produeix 2 respostes completament sobre-posades, i sols s´en veu una. Nota : Els transistors que han sofert alguna forta sobre-carrega, de vegades produeixen un efecte d´histérisis, i es poden veure 2 respostes desplaçades (pujada i baixada d´excitació), degudes posiblement al efecte d´avalancha. Per poguer veure individualment la resposta de cada transistó baix prova, s´han de alterná les excitacions i les sortidas mitjançant conmutadors electrónics, fets amb transistors que curt-circuiten les entradas i sortides. Punts d´excitació P1 y P2. Aixó vol dir que durant un semi-periode d´excitació, visualitzem el comportament d´una unitat, i durant l´altre semi-periode veurem el comportament de la segona mostra. Per poguer tenir la linea inferior de referencia 0 Volts, s´ha col-locat un transistó conmutadó, a la sortida que va al CRT, y elimina, durant un temps, les sortidas de les unitats testejadas. Excitat aquest transistó durant 20 mS i obert durant 20 mS. L´ona quadrada de 40 mS, (20 + 20 mS), s´obté d´un bi-estable que divideix per 2 la freq. de red de 50 Hz (20 mS). Aixó fa que poguem veure les respostes durant 2 semi-periodes, i als seguents 2 semi-periodes no hi surti cap resposta, solament a baix queda la linea de 0 Vols. Si sols deixem un transistó de prova, veurem : a) Resposta del transistó. b) Linea superior horitzontal del voltatge del transistó no conectat. c) Linea inferior de referencia 0 Volts. Al poguer veure entre altres parámetres, la "recta de carga", ens facil-lita molt la selecció dels millors i mes eficients transistors, ja que descobrirem el "comportament no mencionat als catálegs". Resumint, podrem veure la variació del guany ( hfe), desde la minima corrent de colectó a la máxima. La tensió residual mes baixa al colectó, (just entrant a la saturació) Vce sat , es un punt molt important, per treure el máxim profit del transistó. Aquest sistema de barrido, el varen fer servir generosament els aparells de mesura de la casa alemana Nordmende, als seus Wobuladors i verificadors de selectors de canals de TV, per us als serveis d´asisténcia técnique. Foto 1312 Semionda per accioná els conmutadors secuencials de sortida. Foto 1313 Resposta d´un sol transistó, ( no pas gaire lineal). Foto 1314 Idem ,peró d´un transistó millor. Foto 1315 Resposta de 2 unitats, no visualitzant la línea inferior de 0 Volts. Foto 1317 Resposta d´un tr força bó, i un altre poc lineal. L´angle de baixada indica el valor relatiu del guany hfe, ( a mes inclinació, mes alta l´hfe). Foto 1318 Resposta de 2 unitats de diferent guany i rendiment.